導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長(cháng)碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類(lèi)功率器件。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現有使用硅基功率器件的能源轉換效率，對高效能源轉換領(lǐng)域產(chǎn)生重大而深遠的影響，主要應用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車(chē)/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。