據粉體圈消息：近日，在新馬工業(yè)園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。

SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節中的關(guān)鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(cháng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節。長(cháng)期以來(lái)，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節，但因其技術(shù)壁壘高，長(cháng)期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關(guān)鍵材料之一。

2018年，德智新材落戶(hù)動(dòng)力谷自主創(chuàng )新園。隨后，其自主設計的國內最大化學(xué)氣相沉積設備完成調試投入使用。這個(gè)設備能在高溫、高真空環(huán)境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，“德智新材”成為國內最大單晶太陽(yáng)能生產(chǎn)企業(yè)——隆基股份等龍頭企業(yè)的供貨商，并與吉林大學(xué)、中南大學(xué)等知名高校建立長(cháng)期合作關(guān)系。

“該項目對于國內外的該產(chǎn)品領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，都有著(zhù)一定的前瞻性和拓展性。”業(yè)內人士分析認為，此項目技術(shù)含量高、成長(cháng)能力強、經(jīng)濟效益好，對突破國外的技術(shù)封鎖，進(jìn)一步推動(dòng)國內半導體產(chǎn)業(yè)轉型升級、壯大株洲經(jīng)濟規模具有十分重大的意義。