研究發(fā)現，SiC陶瓷燒結時(shí)可加入B、C、Al來(lái)實(shí)現致密化，B系與C系燒結助劑的添加能夠降低SiC晶界能與表面能的值，增強擴散的驅動(dòng)力，而Al系燒結助劑可以以固溶的方式活化晶格，促進(jìn)致密化進(jìn)行。

對于無(wú)壓或熱壓燒結SiC，在不使用燒結助劑情況下基本難以實(shí)現致密燒結，但燒結助劑加入不當又會(huì )使材料性能惡化。SiC陶瓷的力學(xué)性能受游離C的分布影響很大，而B(niǎo)的分布又會(huì )使游離C的晶粒由等軸狀生長(cháng)為長(cháng)柱狀，起到界間強化的作用。另外，溫度的升高會(huì )促進(jìn)基體晶粒的多邊形化，但過(guò)大的基體晶粒尺寸又會(huì )對晶界處游離C的生長(cháng)產(chǎn)生抑制作用，降低晶界的結合力。因此，適宜的燒結溫度和均勻分布的添加劑對材料力學(xué)性能的提高有利。