碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著(zhù)
碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一,其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距,但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現部分國產(chǎn)替代,8英寸晶圓也在研制過(guò)程中,國產(chǎn)替代進(jìn)程講持續突破。
碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%,由于具備晶體生長(cháng)過(guò)程繁瑣,晶圓切割困難等特點(diǎn),碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供應商,CR3市場(chǎng)占有率達到80%以上,國內廠(chǎng)商為代表的襯底廠(chǎng)商的產(chǎn)品良率、品質(zhì)和生產(chǎn)效率還有一定差距,碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底,可以滿(mǎn)足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求,當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件,隨著(zhù)下游需求爆發(fā),2022-2026年SiC器件的市場(chǎng)規模將從43億美元提升到89億美元,年復合增長(cháng)率為20%。
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