碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車(chē)應用場(chǎng)景上使用，還是無(wú)法大規模替代硅功率器件，業(yè)內從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來(lái)理解有以下這些問(wèn)題。

首先碳化硅這種材料，在自然界是沒(méi)有的，必須人工合成，結果必然是成本遠遠高于可以自然開(kāi)采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒(méi)有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類(lèi)似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長(cháng)技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導致原材料價(jià)格過(guò)于昂貴。

因此碳化硅6英寸襯底高達1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了。

缺乏高效長(cháng)晶技術(shù)導致襯底片成本過(guò)于高昂，第二器件工藝還不是很完善，同時(shí)專(zhuān)用設備也不是很完善，又貴又少，導致FAB廠(chǎng)產(chǎn)能還沒(méi)有完全擴出來(lái)，總之就是量太小，襯底價(jià)格高，工藝不成熟，導致碳化硅器件太貴，制約了大規模應用，只能在小眾高端領(lǐng)域使用。