近日，中電化合物半導體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養實(shí)踐基地。

旨在加強產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養兼具豐富理論知識和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。

中電化合物以此為契機，加大人才引進(jìn)力度，以創(chuàng )新為抓手，持續研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。

中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)化寬禁帶半導體材料制造企業(yè)。

2019年，中電化合物半導體項目落戶(hù)在寧波杭州灣新區，是浙江省首個(gè)第三代半導體項目，總投資10.5億元，規劃建設年產(chǎn)7萬(wàn)片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線(xiàn)，和年產(chǎn)1萬(wàn)片GaN外延片生產(chǎn)線(xiàn)；包含SiC晶體生長(cháng)、襯底加工、外延生長(cháng)、材料檢測工序。

2021年12月，中電化合物宣布中標寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項目，聯(lián)合寧波比亞迪半導體有限公司和中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，共同建設“車(chē)規級MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗證及產(chǎn)業(yè)化”項目。

目前，中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達2萬(wàn)片，未來(lái)3年將達到8萬(wàn)片，已向客戶(hù)提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。