日本IDM大廠(chǎng)羅姆SiC功率半導體計劃將產(chǎn)能增加6倍[ 06-20 17:27 ]

據粉體圈整理消息：近期，日本IDM大廠(chǎng)羅姆(Rohm)計劃2025年前，要將碳化硅(SiC)功率半導體的營(yíng)收擴大至1000億日元以上。為此，羅姆最大將投資1700億日元使碳化硅功率半導體的產(chǎn)能在2025年時(shí)增加至2021年時(shí)的6倍。 羅姆6月8日在日本福岡縣筑后市舉行碳化硅功率半導體專(zhuān)用生產(chǎn)廠(chǎng)房啟用儀式。羅姆社長(cháng)松本功表示，要以新廠(chǎng)房為起點(diǎn)，目標在2025年度成為全球市占龍頭。這也是日本半導體制造商首度在日本國內建設碳化硅功率半導體的專(zhuān)用廠(chǎng)房。 據《日本經(jīng)濟新聞》報道，目前羅姆在全球整體功率半導體市場(chǎng)市

藍海華騰、廣汽資本投資基本半導體 搶灘布局碳化硅百億市場(chǎng)[ 06-19 16:22 ]

6月7日,藍海華騰、廣汽資本、潤峽招贏(yíng)等機構完成了對國內第三代半導體碳化硅(SiC)功率器件企業(yè)——基本半導體的C2輪融資。本次投資意味著(zhù)藍海華騰加緊開(kāi)拓布局第三代半導體碳化硅器件領(lǐng)域，通過(guò)助力基本半導體在碳化硅功率器件上的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設，共同加強雙方在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的拓展。 公開(kāi)資料顯示，藍海華騰于2016年在深交所創(chuàng )業(yè)板上市，是一家擁有完全自主知識產(chǎn)權，專(zhuān)業(yè)致力于新能源汽車(chē)驅動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化控制產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及整體方案解決的國家高新技術(shù)企業(yè)。 藍海華騰本次

德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設[ 06-17 17:19 ]

近日，在新馬工業(yè)園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節中的關(guān)鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(cháng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節。長(cháng)期以來(lái)，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節，但因其技術(shù)壁壘高，長(cháng)期被美

甘肅天水簽20億大單，打造碳化硅陶瓷復合產(chǎn)業(yè)園[ 06-10 14:54 ]

據粉體圈消息：6月1日，甘肅天水清水縣政府與山東華貿控股集團舉行高性能碳化硅復合材料產(chǎn)業(yè)園項目簽約儀式。該項目預計投資20億元，一期建設工業(yè)廠(chǎng)房、辦公、研發(fā)中心等共計12萬(wàn)平方米，建設3條碳化硅生產(chǎn)線(xiàn)，氮化硅結合碳化硅復合材料及制品生產(chǎn)線(xiàn)以及石英砂礦生產(chǎn)線(xiàn)，于2023年10月份前建成投產(chǎn)；二期將于2025年底全部達產(chǎn)。 山東華貿控股集團在清水縣投資建設高性能無(wú)壓燒結碳化硅及氮化硅結合碳化硅高耐制品等陶瓷基復合材料產(chǎn)業(yè)園及配套石英砂礦項目，主要建設25萬(wàn)噸高性能無(wú)壓燒結碳化硅材料、3萬(wàn)噸高性能陶瓷制品生產(chǎn)線(xiàn)、3

總投資20億！江蘇又增碳化硅項目[ 06-08 16:42 ]

前段時(shí)間，江蘇揚州簽約了1個(gè)碳化硅項目。但其實(shí)，當時(shí)簽約的還有另一個(gè)碳化硅項目——南京寬能半導體有限公司項目。 中國江蘇網(wǎng)近日報道稱(chēng)，江蘇揚州在4月21日舉行了“重大招商項目暨央企區域總部項目視頻簽約活動(dòng)”，其中寬能半導體項目正式簽約落戶(hù)于浦口經(jīng)開(kāi)區，總投資為20億元。 報道稱(chēng)，該項目計劃投資14億元，用于生產(chǎn)6吋硅基集成電路芯片及功率器件。但“三代半風(fēng)向”了解后發(fā)現，該項目也將主要從事碳化硅晶圓代工。 據了解，寬能半導體成立